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具有偏振输出特性的芯片级垂直集成式被动调Q激光器

摘要

本发明涉及被动调Q激光器技术领域,尤其涉及一种具有偏振输出特性的芯片级垂直集成式被动调Q激光器,包括偏振泵浦源、激光增益介质和可饱和吸收体。偏振泵浦源采用偏振VCSEL,偏振VCSEL发出的偏振泵浦光进入各向异性吸收的激光增益介质进行泵浦,偏振泵浦源与增益介质形成线性三镜耦合腔结构以提升泵浦效率,泵浦后的激光增益介质为谐振腔提供预定波长的光学增益,经过可饱和吸收体调制谐振腔的腔内损耗后,实现具有偏振特性的被动调Q脉冲输出。本发明利用晶片键合方法实现三个组件之间的芯片级半导体/固体的垂直集成,集成式被动调Q激光器具有偏振输出特征、芯片级体积、结构简单、效率高、脉宽窄和峰值功率高等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN116667123B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.09.22

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202310948508.3

  • 申请日2023.07.31

  • 分类号H01S3/0941(2006.01);H01S3/06(2006.01);H01S3/08(2023.01);H01S3/081(2006.01);H01S3/10(2006.01);H01S3/113(2006.01);H01S3/23(2006.01);

  • 代理机构长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218;

  • 代理人高一明

  • 地址 130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

  • 入库时间 2023-11-03 19:47:30

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