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一种空心二氧化硅及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种空心二氧化硅及其制备方法和应用。制备方法包括:1)将单质硅粉分散在液相反应体系中,得到硅粉分散液;2)向步骤1)得到的硅粉分散液中缓慢滴加氨水至反应体系的pH为10~10.4,然后进行水热反应。本发明将单质硅粉在水热反应中通过硅原子及羟基的界面扩散、初步氧化及空心化制备空心二氧化硅。本发明利用界面处的柯肯达尔效应制备的空心二氧化硅表面致密、具有低应力、高机械强度以及低吸湿的特点,其作为电子封装材料的填料,能够提高可靠性、降低介电常数和介电损耗;本发明提供的空心二氧化硅,制备方法简单,无需多步反应,成本低廉,具有较高的应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN114620737B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.09.15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳先进电子材料国际创新研究院;

    申请/专利号CN202210062604.3

  • 申请日2022.01.19

  • 分类号C01B33/18(2006.01);H01L23/29(2006.01);

  • 代理机构北京市诚辉律师事务所 11430;北京市诚辉律师事务所 11430;

  • 代理人范盈;李玉娜

  • 地址 518103 广东省深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区

  • 入库时间 2023-11-03 19:47:20

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