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一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置

摘要

本发明涉及一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法,控制衬底的温度在0~500℃范围内,以氮气或氮气和氩气的混合气体作为溅射气体,真空条件下,对掺杂有稀土粉末的金属镓进行磁控溅射,使设在靶位处的衬底沉积上稀土掺杂的氮化镓发光薄膜。本发明还提供了一种制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的磁控溅射装置,包括真空室,真空室内设有可旋转的衬底架和3~5个磁控靶,衬底架上装设有衬底,衬底设在磁控靶上方且使衬底面与磁控靶面平行,每个磁控靶分别接直流电源阴极;磁控靶内设有冷却室,冷却室设有冷却介质进口和出口。本发明具有沉积温度低、成膜面积大、膜—基附着力强、生长速率高、无污染、掺杂工艺简单和无损伤等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN100594255C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN200610125202.4

  • 发明设计人 付德君;阴明利;郭立平;刘传胜;

    申请日2006-11-30

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/54(20060101);

  • 代理机构42208 武汉天力专利事务所;

  • 代理人程祥;冯卫平

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌珞珈山

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-02-08

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20100317 终止日期:20101130 申请日:20061130

    专利权的终止

  • 2010-03-17

    授权

    授权

  • 2007-07-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-16

    公开

    公开

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