基于超组装策略得到的MC/AAO/MS纳米通道膜在离子存储与释放的应用

摘要

本发明提供了一种基于超组装策略得到的MC/AAO/MS纳米通道膜在离子存储与释放的应用，采用超组装策略制备得到多层三明治结构的介孔碳/阳极氧化铝/介孔硅(MC/AAO/MS)纳米通道膜，之后将其夹在两室电导池之间，两室电导池中加入浓度相同的同种电解质溶液，离子的存储过程通过在MC/AAO/MS纳米通道膜两侧施加电压实现，离子的释放过程通过撤出MC/AAO/MS纳米通道膜两侧电压实现。MC/AAO/MS纳米通道膜呈现出非对称的类二极管的离子传输行为，具有两层阳离子选择性层，呈现出增强的阳离子选择性。MC/AAO/MS纳米通道膜应用在离子存储与释放中时具有优越的离子存储与释放性能，可以实现较长时间的离子释放，因此在能源转换领域和离子存储与释放领域具有潜在的应用价值。