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光学式关键尺寸量测准确度的改善系统及其方法

摘要

一种光学式关键尺寸量测准确度的改善系统及其方法。该方法包含:找出一工艺参数;找出该薄膜的折射率以及消光系数分别为该工艺参数的函数;在回归模拟时,利用该工艺参数经由所述函数调整该薄膜的折射率以及消光系数;借着取得该工艺参数的一最佳值完成该光学式关键尺寸量测,其中该最佳值极小化了实验光谱与其理论预测之间的差异。该系统包含:用以找出上述工艺参数的找出手段;用以找出所述函数的找出手段;利用该工艺参数经由所述函数调整该薄膜的折射率以及消光系数的调整手段;以及完成该光学式关键尺寸量测的完成手段。藉由工艺参数以在回归模拟时调整晶圆基板上薄膜的折射率/消光系数(n/k)值,以降低关键尺寸量测的误差。

著录项

  • 公开/公告号CN100587934C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200710166248.5

  • 发明设计人 游信胜;黄得智;柯志明;高蔡胜;

    申请日2007-11-07

  • 分类号H01L21/66(20060101);G01B11/00(20060101);

  • 代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁;张华辉

  • 地址 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-03

    授权

    授权

  • 2008-10-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-08-27

    公开

    公开

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