具有改善的光输出的垂直结构半导体器件

摘要

本发明提供了一种用于制造具有较大改善的光输出的新的垂直结构化合物半导体器件的可靠方法。制造发光半导体器件的方法的典型实施例包括以下步骤：形成发光层；在发光层上形成波形表面，以改善光输出。在一个实施例中，该方法进一步包括在每个半导体器件的波形表面上形成透镜的步骤。在一个实施例中，所要求的方法进一步包括以下步骤：在半导体结构上形成接触焊盘以与发光层接触；以及将每个半导体器件封装在包括上引线框和下引线框的封装体中。本发明的优点包括用于制造具有高成品率、可靠性和光输出的半导体器件的改进技术。