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侧链含芘类衍生物的聚氧硅烷荧光高分子材料及制备方法

摘要

本发明涉及一种含芘类衍生物的聚氧硅烷荧光高分子材料和制备方法,将具有氧猝灭特性的芘类衍生物,通过氢化硅烷化反应,接枝到聚氧硅烷上,构成具有氧猝灭特性的本征型聚氧硅烷荧光高分子材料。其结构通式如下所示,其中Y为键桥,可以为酯基、偶氮基、酰胺基、醚基等基团,n和m为柔性间隔的数目,n=2~10,m=3、4。与现有技术相比,本发明从根本上解决作为压敏涂料中分子探针的芘类荧光物质的热稳定性、储存稳定性和荧光物质分布不均匀等问题。

著录项

  • 公开/公告号CN100586989C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军后勤工程学院;

    申请/专利号CN200710092983.6

  • 发明设计人 晏华;朱霞;王雪梅;余荣升;

    申请日2007-11-15

  • 分类号C08G77/42(20060101);C09K11/06(20060101);

  • 代理机构50123 重庆华科专利事务所;

  • 代理人康海燕

  • 地址 400016 重庆市渝中区长江二路174号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-31

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08G 77/42 授权公告日:20100203 终止日期:20131115 申请日:20071115

    专利权的终止

  • 2010-02-03

    授权

    授权

  • 2008-07-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-07

    公开

    公开

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