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纳米级物质的结构控制方法和使用该结构控制方法的纳米级低维量子结构的制造方法

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在氧氛围下，向纳米级低维量子结构的混合物照射电磁波，有选择地使状态密度与照射的电磁波共振的低维量子结构氧化。这样可以从纳米级低维量子结构的混合物中，有选择地使特定结构的低维量子结构消失。

著录项

公开/公告号CN100584742C

专利类型发明授权
公开/公告日2010-01-27

原文格式PDF
申请/专利权人独立行政法人科学技术振兴机构;
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申请/专利号CN200480024235.9
发明设计人前桥兼三;井上恒一;松本和彦;大野恭秀;
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申请日2004-08-18
分类号B82B3/00(20060101);C01B21/064(20060101);C01B31/02(20060101);
代理机构11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司;
代理人武玉琴;王继文
地址日本琦玉县
入库时间 2022-08-23 09:03:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-10-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 授权公告日:20100127 终止日期:20110818 申请日:20040818

专利权的终止
2010-01-27

授权

授权
2006-11-15

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-09-27

公开

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