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具有光开关作用的多段光放大耦合器

摘要

本公开提供一种具有光开关作用的多段光放大耦合器,包括:衬底层;下限制层,设置于所述衬底层上;下波导层,设置于所述下限制层上;有源层,设置于所述下波导层上,用于产生光增益;上波导层,设置于所述有源层上;上限制层,设置于所述上波导层上,所述上限制层制备有脊波导组;绝缘层,设置于所述上限制层上及所述脊波导组的侧壁;以及欧姆接触层,设置于所述脊波导组上;其中,所述绝缘层和欧姆接触层的表面设置有多段分立的P面电极,进行设定电流的注入后,形成具有输入放大器段、耦合放大器段、以及输出放大器段的光放大耦合器。

著录项

  • 公开/公告号CN112886392B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.03.07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202110039320.8

  • 发明设计人 祝宁华;徐长达;刘泽秋;袁海庆;

    申请日2021.01.12

  • 分类号H01S5/50;H01S5/22;G02B6/12;G02B6/35;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-04-06 21:55:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-07

    授权

    发明专利权授予

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