一种生长立方织构钇稳定二氧化锆膜层的方法

摘要

一种生长立方织构钇稳定二氧化锆膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10^-4Pa。将衬底加热至600-850℃，再充氩气至腔体气压1×10^-1Pa-8×10^-1Pa。以Zr-Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10^-3-3.5×10^-2Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得钇稳定二氧化锆膜。所制得的钇稳定二氧化锆隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。