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具有带有开/关控制的局部读出放大器的半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器件包括多个存储单元阵列块、位线读出放大器、能够被控制接通或断开的局部读出放大器、数据读出放大器、以及控制器。控制器响应于第一和第二信号而将局部读出控制信号激活预定的持续时间。第一信号为激活位线读出放大器的位线读出使能信号,并且,在激活位线读出使能信号之后,将局部读出放大器激活预定的持续时间。第二信号可被激活或去激活,以与连接一对位线和一对局部输入/输出线的列选择线信号同相。因而,有可能根据操作条件而接通或断开局部读出放大器,由此增大tRCD参数并减小电流消耗。可通过将局部读出放大器与在读取操作期间不需要预充电和均衡的电流型数据读出放大器相组合,而提高半导体存储器件的操作速度。

著录项

  • 公开/公告号CN100583291C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200510091014.X

  • 发明设计人 申相雄;金哲洙;全永铉;李相普;

    申请日2005-08-03

  • 分类号G11C11/409(20060101);G11C11/419(20060101);G11C7/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人黄小临;王志森

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/409 授权公告日:20100120 终止日期:20140803 申请日:20050803

    专利权的终止

  • 2010-01-20

    授权

    授权

  • 2007-09-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-03-15

    公开

    公开

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