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公开/公告号CN112261516B
专利类型发明专利
公开/公告日2023.01.24
原文格式PDF
申请/专利权人 南京工程学院;
申请/专利号CN202011292534.8
发明设计人 覃翠;张健;赵静;余辉龙;巍峘;
申请日2020.11.18
分类号H04Q11/00;G02F1/39;G02B6/26;
代理机构南京钟山专利代理有限公司;
代理人徐燕
地址 211167 江苏省南京市江宁区科学园弘景大道1号
入库时间 2023-02-08 22:25:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-24
授权
发明专利权授予
机译: 利用半导体光放大器的增益饱和特性实现全光NOR逻辑器件的装置和方法
机译: 利用半导体光放大器实现全光半加法的方法和装置
机译: 一种光半导体装置,该光半导体装置能够利用包括聚rag聚硅氧烷在内的密封件来利用密封来制造光半导体部件用树脂,并且
机译:一种新型频率编码全光逻辑门,它利用半导体光放大器中的偏振不敏感四波混频,ADD / DROP多路复用器的滤波特性以及反射型半导体放大器的非线性
机译:勘误表:一种新型频率编码的所有光逻辑门,利用半导体光放大器中的偏振不敏感四波混频,ADD / DROP多路复用器的滤波特性以及反射型半导体放大器的非线性特性(Optik DOI:10.1016 / j.ijleo.2010.05.033)
机译:慢和快光效应及其在使用半导体光放大器的微波光子学中的应用
机译:一种实现半导体光放大器中B类慢光缓冲器的方案
机译:使用半导体光放大器中的非线性效应的高比特率光信号处理
机译:基于分布式反馈半导体光放大器的可重构光信号处理
机译:具有可控功率响应的微波移相器,基于半导体光放大器中的慢光和快光效应
机译:量子点和阱半导体光放大器中的快光。