micro-LED原位驱动单元制作方法及micro-LED器件

摘要

本申请涉及一种micro‑LED原位驱动单元制作方法及micro‑LED器件，该方法包括：获取位于衬底的micro‑LED阵列；在micro‑LED单元制备非简并态氧化物半导体并进行刻蚀，在刻蚀后的非简并态氧化物半导体制备顶栅介质层；对顶栅介质层进行互连和源漏电极区开窗，在开窗得到的互连和源漏电极区沉积简并态氧化物半导体实现与micro‑LED单元互连；在顶栅介质层积淀简并态氧化物半导体形成顶栅电极，得到与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元。在micro‑LED单元上制备形成与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元，实现了micro‑LED器件的原位驱动功能，相比于传统的将micro‑LED发光单元与驱动电路分开制备然后集成的工艺路线，大大简化了工艺流程，降低了制作成本。