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公开/公告号CN109254252B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.12.23
原文格式PDF
申请/专利权人 恩智浦有限公司;
申请/专利号CN201810760725.9
发明设计人 斯特凡·马劳斯卡;约尔格·科克;马克·艾斯勒;哈特穆特·马茨;丹尼斯·赫尔姆博尔特;
申请日2018.07.11
分类号G01R33/02;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人纪雯
地址 荷兰埃因霍温高科技园区60邮编:5656 AG
入库时间 2023-01-09 21:32:16
机译: 具有磁场屏蔽结构和系统的磁场传感器
机译: 具有磁场屏蔽结构的磁场传感器及其系统
机译:具有倾斜的磁区结构的高频载波型磁场传感器中的检测方向由于外部磁场导致磁区结构和阻抗的变化
机译:磁畴结构变化和阻抗通过具有渐变磁畴结构的高频载体型磁场传感器中的检测方向外部磁场改变
机译:使用薄膜磁场传感器在屏蔽室外部进行心脏磁场测量
机译:磁场传感器磁场源与磁场传感器磁场源之间的关系分析
机译:具有非线性滤波的永磁同步电动机的无传感器磁场定向控制。
机译:MgO / Fe的电子结构具有垂直磁场该磁场通过施加磁场的硬X射线光发射揭示
机译:使用聚合物MEMS结构的磁场传感器,用于检测磁场
机译:磁场传感器,用于各向同性地检测传感器平面中的入射磁场