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公开/公告号CN110763559B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.11.11
原文格式PDF
申请/专利权人 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院;
申请/专利号CN201910942888.3
发明设计人 袁建宇;逄锦程;王影;谢国君;卢克非;刘哲军;林鑫;刘宏瑞;韩露;朱军辉;
申请日2019.09.30
分类号G01N3/08;G01N3/06;G01N3/04;
代理机构中国航天科技专利中心;
代理人庞静
地址 100076 北京市丰台区南大红门路1号
入库时间 2022-11-28 17:56:32
机译: 用于原位合成SiC,SiC陶瓷基质复合材料和SiC金属基复合材料的方法和装置
机译: 利用脉冲宽带信号原位监测等离子体刻蚀和沉积过程的方法和装置
机译:AE法评价三维编织SiC / SiC复合材料的热应力断裂行为-遮光法半导体激光热冲击试验方法的发展
机译:聚合物浸渍烧结不同次数的三维编织SiC / SiC复合材料的AE方法评价弯曲断裂行为
机译:利用AE监测鉴定SiC /玻璃陶瓷复合材料的断裂行为和损伤机理。
机译:SiC / SiC复合材料损伤行为X射线CT的原位观察和断裂过程分析
机译:原位钢化SiC陶瓷,添加Al-B-C和氧化物涂层的SiC薄片/ SiC复合材料。
机译:单轴拉伸载荷下不同互相不同闭合性C / SIC微型复合材料的损伤演化与断裂行为
机译:多种聚合物浸渍热解过程制造的三维织造SiC / SiC复合材料中弯曲断裂行为的特征
机译:空气中高温下全CVI和全pIp siC / siC复合材料的蠕变/应力断裂行为及失效机理。