首页> 中国专利> 一种超大功率半导体列阵外腔形变补偿量全量获取技术

一种超大功率半导体列阵外腔形变补偿量全量获取技术

摘要

本发明提供了一种超大功率半导体列阵中,克服外腔形变影响锁相质量,为避免降低锁相质量而补偿形变所需补偿量获取技术。与CCD1相关的一路测量外腔形变的子系统利用反射镜R2.1、反射镜3、变焦光学器件1、透镜1,聚焦经外腔反射的一半He-Ne激光束成像于CCD1上,由处理器1计算光斑质心、以及计算标定后的变化量,从而获取外腔镜一个方向的形变信息,并在其达到门限时,通过半量补偿量获取法获知补偿量,然后再配合相应D/A、相应高压驱动模块,驱动安装在外腔镜末端位置的相应压电补偿器PZT膨胀,补偿,从而适时补偿β在一个方向的漂移,适时补偿由残余热效应等引起的外腔镜随机形变,使得采用倾斜匹配角度的外腔镜锁相的超大功率二维半导体列阵稳定地震荡于同相模,保障列阵稳定输出的高质量。

著录项

  • 公开/公告号CN100553055C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-10-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 蔡然;荣健;钟晓春;

    申请/专利号CN200710049476.4

  • 发明设计人 蔡然;

    申请日2007-07-09

  • 分类号H01S5/40(20060101);H01S5/14(20060101);H01S5/06(20060101);H01S5/00(20060101);G02F1/35(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610054 四川省成都市成华区建设北路二段四号电子科技大学科研楼704

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/40 授权公告日:20091021 终止日期:20120709 申请日:20070709

    专利权的终止

  • 2012-12-19

    文件的公告送达 IPC(主分类):H01S 5/40 收件人:荣健 文件名称:缴费通知书 申请日:20070709

    文件的公告送达

  • 2009-10-21

    授权

    授权

  • 2008-04-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-20

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号