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公开/公告号CN107234218B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.10.18
原文格式PDF
申请/专利权人 安泰科技股份有限公司;
申请/专利号CN201610483795.5
发明设计人 李宗臻;周少雄;张广强;董帮少;高慧;
申请日2016.06.27
分类号B22D11/06;
代理机构北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘春成;荣红颖
地址 100081 北京市海淀区学院南路76号
入库时间 2022-11-28 17:51:11
机译: 用于使带材稳定的方法,该带材在熔体浸涂设备和熔体浸涂设备的排出喷嘴之间引导
机译: 非晶合金带材生产装置中的喷嘴保护装置
机译: 连续高效制备高冷却速度下厚度为80-1,500μM的宽非晶带材的方法
机译:熔体高速淬火在非晶带材生产中的水力作用
机译:非晶态熔纺带材的扭转挤压制备纳米结构Al_(86)Gd_6Ni_6CO_2块状合金
机译:两种轧制方法和用于直接从熔体生产微晶和非晶金属带的目的
机译:非晶带材激光熔覆后的结构分析和相识别
机译:连续波激光辐照对铁硅硼非晶带材结构弛豫和力学性能的影响。
机译:快速凝固过程中不同熔体旋转速度对Ti-Zr-Ni-Cr-V非晶带的力学性能可调
机译:通过原子力显微镜尖端诱导局部氧化制备非晶硅纳米带用于薄膜器件应用
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日