单模光子晶体VCSEL

摘要

本说明书揭示了具有单模输出和可选的单偏振输出的VCSEL(垂直腔表面发射激光器)器件。该器件通过在部分VCSEL顶部镜片中的浅蚀刻由根据PBG(光子带隙)效应的横向模限制给出。PBG区域环绕特征为大的纵向模损耗的MS区域(模整形区域)。MS区域环绕特征为低纵向模损耗的LA区域(光孔径区域)。MS区域不对到LA孔径的横向模限制作出贡献，横向模由PBG区域限制。从而对于单基模工作优化了VCSEL。