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公开/公告号CN113416935B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.09.20
原文格式PDF
申请/专利权人 季华实验室;
申请/专利号CN202110642910.X
发明设计人 黄意雅;郭奇勋;滕蛟;徐秀兰;张辉;于广华;
申请日2021.06.09
分类号C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/58;H01F41/18;H01F41/22;
代理机构深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人曹卫良
地址 528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
入库时间 2022-09-26 23:21:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-20
授权
发明专利权授予
机译: 一种软磁性镍铁永磁薄膜的制备方法及使用其的软磁性镍铁永磁薄膜的制备方法
机译: 一种绝缘体的制备方法,以及通过该方法制备的绝缘体
机译: 在纤维材料,机织织物或类似物的轴向方向上嵌入一种用于制备纤维增强的刚性绝缘体的方法,特别是在绝缘体中具有无弹性的受拉杆绝缘体。
机译:防铁磁性拓扑绝缘体MNBI2Te4中的磁性可控拓扑量子相变
机译:磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4(Bi2Te3)(n)(n = 1,2)中的磁性和运输性能
机译:基于对称性及其X射线光电子谱的反铁磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4的层插入生长
机译:Mn浓度对磁性拓扑绝缘体Mn X / INF> BI 2?X / INM> TE 3 INM>薄膜霍尔效应传感器
机译:探测拓扑绝缘体薄膜和拓扑绝缘体/铁磁体(TI / FM)异质结构表面状态的磁传输方法。
机译:Sb掺杂的MnBi2Te4块体和薄薄片中的本征磁性拓扑绝缘体相
机译:磁性拓扑绝缘体Mnbi2te4(Bi2te3)n(n = 1,2)中的磁性和运输性能
机译:一种制备超高纯陶瓷粉末,纤维和薄膜的方法