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一种用于EAST托卡马克射频波导致电子温度演化的模拟方法

摘要

本发明公开了一种用于EAST托卡马克射频波导致电子温度演化的模拟方法。在数值模拟射频波注入EAST托卡马克装置后引起的电子温度演化过程时,根据射频系统的硬件参数确定加热源的形式,再根据托卡马克位形下的电子输运方程计算扰动电子温度在给定磁场位形下的演化,根据演化后的电子温度修正等离子体电阻,并采用修正后的电阻计算磁场位形的演化,以此磁场位形继续计算扰动电子温度的演化,反复计算,达到长时间演化的模拟。本发明实现了模拟射频波导致的电子温度在EAST托卡马克真实三维磁场位形下的演化,得到任意时刻的扰动电子温度在三维空间内的分布情况,弥补了实验测量时间精度低的不足,计算效率高,数值稳定性强。

著录项

  • 公开/公告号CN112966453B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.09.20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN202110273883.3

  • 发明设计人 王正汹;刘桐;王丰;

    申请日2021.03.15

  • 分类号G06F30/28;G06F30/10;G06F17/13;G06F113/08;

  • 代理机构大连理工大学专利中心;

  • 代理人温福雪

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2022-09-26 23:21:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-20

    授权

    发明专利权授予

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