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C/C复合材料表面的羟基磷灰石纳米带与羟基磷灰石涂层及一步共生长制备方法

摘要

本发明涉及一种C/C复合材料表面的羟基磷灰石纳米带与羟基磷灰石涂层及一步共生长制备方法,首先对C/C复合材料进行离子镀表面改性,然后在同一个沉积体系之中,在不移动C/C复合材料样品的条件下,一步完成羟基磷灰石纳米带和羟基磷灰石涂层的制备。从而实现如下效果:其一,在羟基磷灰石涂层的内部引入了羟基磷灰石纳米带,两者具有一致的化学组分,从而解决了纳米带与涂层的物理化学性质不相容的问题。其二,羟基磷灰石纳米带和羟基磷灰石涂层在同一沉积体系中一步共生长,从而避免了纳米带和涂层的多步骤制备导致的缺陷累积的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN113088896B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.09.02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北工业大学;

    申请/专利号CN202110358295.X

  • 发明设计人 张磊磊;张悦;李贺军;李克智;

    申请日2021.04.01

  • 分类号C23C14/32;C23C28/04;C25D5/18;C25D9/04;A61L27/30;A61L27/32;C23C14/06;

  • 代理机构西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王鲜凯

  • 地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号

  • 入库时间 2022-09-26 23:17:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-02

    授权

    发明专利权授予

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