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公开/公告号CN110832304B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.08.30
原文格式PDF
申请/专利权人 惠普发展公司;有限责任合伙企业;
申请/专利号CN201780092815.9
发明设计人 R·N·森古普塔;A·罗卡斯;
申请日2017.07.17
分类号G01N21/62(2006.01);
代理机构北京市汉坤律师事务所 11602;北京市汉坤律师事务所 11602;
代理人魏小薇;吴丽丽
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2022-09-26 23:16:47
机译: 使用表面活性物质生产化学发光化合物的增强化学发光的方法和组合物
机译: 使用指示性表面活性剂从化学发光化合物提供增强的化学发光的方法和组合物
机译: 使用表面活性剂从化学发光化合物提供增强的化学发光的方法和组合物
机译:表面等离激元辅助的Forster共振能量转移在量子点和含Au纳米粒子的发光聚合物杂化物中的发光增强
机译:局部表面等离子体激元和三角形结构增强氮化物发光二极管的发光
机译:Ag纳米板通过表面等离激元增强聚合物发光二极管的电致发光
机译:基于三元表面活性剂混合物系统制备的CDTE量子点的增强光致发光性能
机译:聚合物-纳米粒子共混物中用于电荷存储的电荷动力学:半导体聚合物的表面增强荧光;表面等离子体激元辅助的发光太阳能聚光器波导。
机译:MOS2具有稳定的光致发光通过等离子体表面晶格共振拉伸下的光致发光增强
机译:纳米结构金表面作为生物传感器的两个例子。表面增强化学发光并通过表面等离振子共振和发光进行双重检测
机译:表面修饰量子点增强发光聚合物纳米复合材料发光二极管。