首页> 中国专利> 一种在磁性随机存取存储器位材料沉积之前改进表面平坦度的方法

一种在磁性随机存取存储器位材料沉积之前改进表面平坦度的方法

摘要

本发明提供了一种制造存储单元的一部分的方法,该方法包含在绝缘层中配备的管沟中提供第一导体,并平面化该绝缘层和该第一导体的上表面,在该绝缘层和该第一导体的平面化的上表面上形成材料层,并平面化该材料层的上面部分,而剩下该绝缘层和所述第一导体上的材料层的下面部分不处理。

著录项

  • 公开/公告号CN100533672C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 微米技术有限公司;

    申请/专利号CN02828100.4

  • 发明设计人 D·L·亚特斯;J·A·德鲁斯;

    申请日2002-12-18

  • 分类号H01L21/302(20060101);H01L21/203(20060101);G11C11/02(20060101);G11C5/02(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨生平;王忠忠

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-26

    授权

    授权

  • 2005-07-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-25

    公开

    公开

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