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SMO技术中选取锚定点最佳光刻偏差的方法

摘要

本发明涉及一种SMO技术中选取锚定点最佳光刻偏差的方法,涉及半导体制造技术,利用虚拟模型对预选锚定点和关键图形进行模拟计算,通过对一系列评价参数进行比较分析,提供对应于光刻锚定点的最佳光刻偏差,从而确定SMO优化方向,提高SMO优化效率,加快SMO优化速度,同时也为SMO输出适合的照明光源形状奠定坚实的基础。

著录项

  • 公开/公告号CN111258188B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN202010206581.X

  • 发明设计人 俞海滨;王敏;于世瑞;

    申请日2020-03-23

  • 分类号G03F7/20(2006.01);G06F30/367(2020.01);

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司 31211;

  • 代理人张彦敏

  • 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2022-09-06 00:40:17

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