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用于获得具有低密度孔的薄层的方法

摘要

本发明提出了一种用于确定将被转移到支撑衬底上的施主衬底部分的厚度的方法,所述部分在之后将受到包括至少一种操作的所选精整序列,该方法特征在于确定将被转移的最小厚度,以使所述转移部分:在精整序列的每个操作之后,呈现出小于所述最大密度的致命孔密度,以及一旦完成了整个精整序列就达到了所述的选择厚度。

著录项

  • 公开/公告号CN100550342C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;

    申请/专利号CN200480044745.2

  • 申请日2004-12-28

  • 分类号H01L21/762(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 法国贝尔尼

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-27

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/762 变更前: 变更后: 申请日:20041228

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2009-10-14

    授权

    授权

  • 2008-02-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-12-19

    公开

    公开

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