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一种存储器内建自测试电路和对存储器的测试方法

摘要

本申请实施例公开了一种存储器内建自测试电路和对存储器的测试方法,用于降低修改MBIST电路支持的测试算法的开发成本。本申请存储器内建自测试MBIST电路可以包括:算法生成模块,用于按照目标测试指令根据背景数据、预存的测试元素模块和目标测试算法的各个测试元素的构造规则,依次构造各个测试元素;算法执行模块,用于对待测的存储器依次执行各个测试元素。

著录项

  • 公开/公告号CN111383704B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市海思半导体有限公司;

    申请/专利号CN201811645058.6

  • 发明设计人 张先富;王正波;

    申请日2018-12-29

  • 分类号G11C29/12;

  • 代理机构深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王仲凯

  • 地址 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为基地华为电气生产中心

  • 入库时间 2022-09-06 00:36:08

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