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一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺

摘要

本发明公开了一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺,即对完成图形电镀铜及抗蚀刻层后的PCB进行深度钻孔,然后对深度钻孔后的PCB进行碱性蚀刻,最后去除电镀的抗蚀刻层。在PCB深度钻孔过程中,使用本发明工艺,可以降低深度钻孔系统对对准准度的要求,即使不贯孔(1)直径与贯孔(2)直径相差很小,如在6mil-8mil之间,也可较彻底的去除孔壁铜,降低因不贯孔孔壁残留铜对PCB功能造成的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN100531518C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沪士电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200610028732.7

  • 发明设计人 马夕松;

    申请日2006-07-07

  • 分类号H05K3/02(20060101);H05K3/04(20060101);H05K3/07(20060101);

  • 代理机构11234 中国商标专利事务所有限公司;

  • 代理人陈丽新

  • 地址 215301 江苏省昆山市黑龙江北路55号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-19

    授权

    授权

  • 2007-02-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-03

    公开

    公开

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