公开/公告号CN114464672B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-08
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申请/专利权人 江苏长晶科技股份有限公司;江苏长晶浦联功率半导体有限公司;
申请/专利号CN202210370739.6
申请日2022-04-11
分类号H01L29/06(2006.01);H01L29/78(2006.01);
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司 32112;
代理人奚铭
地址 210000 江苏省南京市中国(江苏)自由贸易试验区南京片区研创园腾飞大厦C座13楼
入库时间 2022-08-23 14:00:11
机译: 一种形成第一掩模超突变结变容二极管的方法,该变容二极管使用经补偿的阴极触点
机译: 一种超结-超晶格与基体对准的半导体器件的制造方法
机译: 一种制造超结半导体器件和半导体器件的方法