一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件

摘要

本发明是一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、第一P型源区(13A)、第一P型源区(13B)和沟槽多晶硅栅极(8C)，所述沟槽多晶硅栅极(8C)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极(8C)的槽底延伸至高压N型区(2)，在N型源区(12)、第一P型源区(13A)和第二P型源区(13B)上分别设有第一源极金属接触(9A)、第二源极金属接触(9B)。本发明结构与传统LDMOS器件相比，可以实现在相同击穿电压下，更低的特征导通电阻。

说明书

技术领域

本发明涉及功率半导体器件领域，是一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件。

背景技术

随着半导体技术的持续发展与进步，功率半导体器件已经成为现代工业不可缺少的重要电子元件。横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-DiffusedMOSFET，简称LDMOS)在功率半导体器件中占有重要地位。LDMOS器件具有开关频率高、可靠性高、易驱动等特点。同时，由于其与CMOS制造工艺兼容，LDMOS器件具有更加低廉的制造成本和更高的集成性，被广泛应用于移动通信、汽车电子、航空航天等领域。

在广泛应用于现代工业的过程中，开发出具有高性能的功率半导体器件成为了行业所趋。特征导通电阻与器件功耗有直接关系，特征导通电阻越小器件功耗越低，因此特征导通电阻(R

槽栅结构是在LDMOS器件中设置一个多晶硅填充的沟槽作栅极。在器件开启时，槽栅侧壁上的P型体区反型形成额外的电流通路，电流经由器件体内被漏区收集，可显著提升器件电流密度，从而降低了器件的特征导通电阻(R

所以，改变器件的槽栅结构，可以增加器件在导通时体内的电流密度，从而在不改变耐压结构的同时有效降低特征导通电阻(R

发明内容

技术问题：为了在器件达到一定的击穿电压(BV)的条件下，有效降低特征导通电阻(R

技术方案：本发明的一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件采用的技术方案如下：

该器件以P型衬底为衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区内设有P型体区和左右对称设置的第一N型漂移区、第二N型漂移区，在第一N型漂移区、第二N型漂移区内分别设有第一N型漏区、第二N型漏区，在第一N型漏区、第二N型漏区上分别设有第一漏极金属接触、第二漏极金属接触，在第一N型漂移区、第二N型漂移区表面分别设有第一场氧化层、第二场氧化层，在第一场氧化层、第二场氧化层上方分别设有第一源级场板、第二源级场板；在P型体区和第一N型漂移区、第二N型漂移区上表面还分别设有第一栅极氧化层、第二栅极氧化层，在第一栅极氧化层、第二栅极氧化层上方分别覆盖有第一多晶硅栅极、第二多晶硅栅极；在P型体区内设有N型源区、第一P型源区、第二P型源区和沟槽多晶硅栅极，所述沟槽多晶硅栅极位于N型源区内，沟槽多晶硅栅极的槽底延伸至高压N型区，在N型源区、第一P型源区和第二P型源区上分别设有第一源极金属接触、第二源极金属接触。

所述沟槽多晶硅栅极在器件宽度上等间隔分布，在器件长度方向上呈交错分布，第一P型源区和第二P型源区位于槽栅多晶硅栅极未交错区域并与槽栅多晶硅栅极相隔一定距离。

所述第一P型源区和第二P型源区的宽度与沟槽多晶硅栅极宽度相同，第一P型源区靠近第一N型漏区和第二P型源区靠近第二N型漏区的边界分别与沟槽多晶硅栅极靠近第一N型漏区和第二N型漏区的边界齐平。

所述第一源极金属接触为长方体状，在该长方体的中间设有一凹槽，第二源极金属接触为长方体状，在该长方体的中间设有一凸块，该凸块与所述的凹槽的位置相对。

有益效果：本发明具有以下优点：

(1)本发明结构与图1所示的传统槽栅LDMOS器件相比，其耐压部分结构未发生改变，可在保持击穿电压基本不变的情况下实现更低的特征导通电阻(R

(2)本发明结构与图1所示的传统槽栅LDMOS器件相比，具有更小的源区面积。图4所示是本发明结构硅顶层俯视图，其P型源区位于槽栅多晶硅栅极未交错区域，P型源区与沟槽多晶硅栅极组成的区域在器件长度方向上的长度(L)等于P型源区长度(L1)、沟槽多晶硅栅极长度(L2)及两者间距(L3)之和，而如图3所示的传统沟槽结构LDMOS器件的硅顶层俯视图，其P型源区与沟槽多晶硅栅极组成的区域在器件长度方向上的长度等于P型源区长度的两倍(2×L1)、沟槽多晶硅栅极的长度(L2)及两者间距的两倍(L3×2)之和。本发明结构在相同条件下可以节省更多的源区面积，减小源区长度，进一步缩短器件长度，降低器件的特征导通电阻。

附图说明

图1是三维立体剖面图，图示了传统沟槽LDMOS结构的立体剖面结构。

图2是三维立体剖面图，图示了本发明中新型槽栅结构的LDMOS结构器件的立体剖面结构。

图3所示为传统槽栅LDMOS结构器件的硅顶层俯视图。

图4所示为本发明中新型槽栅结构的LDMOS结构器件的硅顶层俯视图。

图5是剖面图，图示了传统槽栅LDMOS结构器件的硅顶层俯视图3中AA’剖面的器件剖面结构。

图6是剖面图，图示了本发明中新型槽栅结构的LDMOS结构器件的硅顶层俯视图4中BB’剖面的器件剖面结构。

图7是剖面图，图示了本发明中新型槽栅结构的LDMOS结构器件的硅顶层俯视图4中CC’剖面的器件剖面结构。

图8是剖面图，图示了传统槽栅LDMOS结构器件的硅顶层俯视图3中BB’剖面的器件剖面结构。

图9是剖面图，图示了本发明中新型槽栅结构的LDMOS结构器件的硅顶层俯视图4中AA’剖面的器件剖面结构。

图10，传统槽栅结构和发明结构的转移特性曲线比较。

图11，传统槽栅结构和发明结构的击穿电压比较。

图中有：P型衬底1，高压N型区2，第一N型漂移区3A，第二N型漂移区3B，第一N型漏区4A，第二N型漏区4B，第一漏极金属接触5A，第二漏极金属接触5B，第一场氧化层6A，第二场氧化层6B，第一源级场板7A，第二源级场板7B，第一多晶硅栅极8A，第二多晶硅栅极8B，沟槽多晶硅栅极8C，第一源极金属接触9A，第二源极金属接触9B，第一栅极氧化层10A，第二栅极氧化层10B，P型体区11，N型源区12，第一P型源区13A，第二P型源区13B。

具体实施方式

本发明的一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底1，在P型衬底1的上方设有高压N型区2，在高压N型区2内设有P型体区11和左右对称设置的第一N型漂移区3A、第二N型漂移区3B。在第一N型漂移区3A和第二N型漂移区3B内分别设有第一N型漏区4A、第二N型漏区4B，在第一N型漏区4A、第二N型漏区4B上设有第一漏极金属接触5A、第二漏极金属接触5B，在第一N型漂移区3A和第二N型漂移区3B表面分别设有第一场氧化层6A、第二场氧化层6B，在第一场氧化层6A、第二长氧化层6B上方分别设有第一源级场板7A、第二源极场板7B。在P型体区11和第一N型漂移区3A、第二N型漂移区3B上表面还分别设有第一栅极氧化层10A、第二栅极氧化层10B，在第一栅极氧化层10A、第二栅极氧化层10B上方分别覆盖有第一多晶硅栅极8A、第二多晶硅栅极8B。在P型体区11内设有N型源区12、第一P型源区13A、第二P型源区13B和沟槽多晶硅栅极8C，其特征在于，所述沟槽多晶硅栅极位于N型源区12内，槽底延伸至高压N型区2，在N型源区12、第一P型源区13A和第二P型漏区13B上分别设有第一漏极金属接触触9A、第二源极金属接触9B。

沟槽多晶硅栅极结构8C在器件宽度上等间隔分布，在器件长度方向上呈交错分布。第一P型源区13A和第二P型源区13B位于槽栅多晶硅栅极8C未交错区域并与槽栅多晶硅栅极8C相隔一定距离。

第一P型源区13A和第二P型源区13B的宽度与沟槽多晶硅栅极8C宽度相同，第一P型源区13A靠近第一N型漏区4A的边界和第二P型源区13B靠近第二N型漏区4B的边界分别与沟槽多晶硅栅极靠近第一N型漏区4A的边界和第二N型漏区4B的边界齐平。

第一源极金属接触9A为长方体状，在该长方体的中间设有一凹槽，第二源极金属接触9B为长方体状，在该长方体的中间设有一凸块，该凸块与所述的凹槽的位置相对。

本发明采用如下方法来制备：

第一步，取P型衬底硅圆片，对其进行预清洗，通过N型离子注入高温退火后形成高压N型区2。

第二步，利用干法刻蚀形成沟槽，在N

第三步，采用化学气相淀积法在沟槽内填充多晶硅形成沟槽多晶硅栅极8C。

第四步，通过N型离子注入及快速热退火后，形成第一N型漂移区3A、第二N型漂移区3B。

第五步，生长第一场氧化层6A、第二场氧化层6B。

第六步，通过P型离子注入及快速热退火后，形成P型体区11。

第七步，生长第一栅极氧化层10A、第二栅极氧化层10B，并淀积多晶硅形成第一多晶硅栅极8A、第二多晶硅栅极8B。

第八步，通过高剂量的硼离子和磷离子注入，形成第一N型漏区4A、第二N型漏区4B、N型源区12、第一P型源区13A和第二P型源区13B。

第九步，光刻出金属电极引出孔，淀积金属层，刻蚀掉多余金属，形成第一漏极金属接触5A、第二漏极金属接触5B、第一源极金属接触9A、第二源极金数接触9B、第一源级场板7A和第二源极场板7B。