一种提高单光子探测前端电路探测效率的方法

摘要

本发明公开了一种提高单光子探测前端电路探测效率的方法，包括：建立初始InP/InGaAs SPAD Verilog‑A行为模型；将所述行为模型转换并载入Matlab建模，并设定行为模型所需要拟合的参数值，得到模拟InP/InGaAs SPAD电流‑电压特性、暗计数特性、后脉冲噪声的拟合曲线；在Matlab中调整拟合参数的大小，直至拟合曲线与InP/InGaAs SPAD的实测数据相匹配；将匹配状态下所对应的拟合参数值代入初始InP/InGaAs SPAD Verilog‑A行为模型，以得到最终的行为模型；将最终的行为模型应用于单光子探测前端电路设计中，调整前端电路的各项参数与时序设置，提高前端电路的探测效率。