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消除DKDP晶体电光开关内反向电场影响的方法

摘要

本发明提供了一种消除DKDP晶体电光开关内反向电场影响的方法。该方法是将DKDP晶体电光开关内加在晶体两端的电极宽度都探出晶体端部一部分,探出部分的电极宽度大于或等于每端整个电极宽度的1/4。这样在反向电场区域没有晶体,那么即使存在反向电场,也不会对电光效应产生相反的作用。本发明将DKDP晶体电光开关内加在晶体两端的电极宽度的一部分探出晶体端部,使反向电场区域没有晶体,消除了电光晶体内反向电场对电光效应影响,反向电场不会对电光效应产生相反的作用。

著录项

  • 公开/公告号CN100514122C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东大学;

    申请/专利号CN200710014822.5

  • 发明设计人 李宇飞;侯学元;孙渝明;李群;

    申请日2007-06-28

  • 分类号G02F1/03(20060101);

  • 代理机构济南圣达专利商标事务所有限公司;

  • 代理人王书刚

  • 地址 250061 山东省济南市历下区经十路73号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F 1/03 授权公告日:20090715 终止日期:20120628 申请日:20070628

    专利权的终止

  • 2009-07-15

    授权

    授权

  • 2008-01-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-11-21

    公开

    公开

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