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电阻式存储器元件累进电阻特性的控制方法

摘要

一种电阻式存储器累进电阻特性的控制方法,包括:对一电阻式存储器元件施加一第一写入脉冲集合,以获取一参考累进电阻分布;根据参考累进电阻分布对电阻式存储器元件施加第二写入脉冲集合,使电阻式存储器元件具有一预设累进电阻分布。

著录项

  • 公开/公告号CN111564168B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201910135026.X

  • 发明设计人 蒋光浩;林榆瑄;

    申请日2019-02-21

  • 分类号G11C13/00;H01L45/00;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

  • 入库时间 2022-08-23 13:44:05

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