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采用具有不同磁场灵敏度的隧道磁阻(TMR)器件以提高检测灵敏度的TMR传感器

摘要

公开了一种采用具有不同磁场灵敏度的TMR器件以提高检测灵敏度的隧道磁阻(TMR)传感器。例如,TMR传感器可用作生物传感器来检测生物材料的存在。在本文公开的方面中,制造TMR传感器中的至少两个TMR器件的自由层以相对于彼此显示出不同的磁特性(诸如MR比率、磁各向异性,矫顽力),使得每个TMR器件将针对给定的杂散磁场显示出不同的电阻变化,以提高磁场检测灵敏度。例如,TMR器件可被制造为具有不同的磁特性,使得一个TMR器件在存在较小杂散磁场的情况下显示出更大的电阻变化,而另一TMR器件在存在较大杂散磁场的情况下显示出较大的电阻变化。

著录项

  • 公开/公告号CN110462416B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201880022582.X

  • 申请日2018-03-29

  • 分类号G01R33/09;G01R33/12;

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人张昊

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 13:43:03

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