公开/公告号CN100519602C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-07-29
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN200710144437.2
申请日2007-10-12
分类号C08F220/14(20060101);C08F2/44(20060101);C08F4/04(20060101);C08J5/00(20060101);C08K5/00(20060101);
代理机构23101 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司;
代理人刘娅;祖玉清
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 09:02:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-01-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08F 220/14 授权公告日:20090729 终止日期:20091112 申请日:20071012
专利权的终止
2009-07-29
授权
授权
2008-04-30
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-03-05
公开
公开
机译: 掺杂材料掺杂材料的制备方法,用于成膜,分层产物的制备方法,掺杂膜形成掺杂材料和半导体膜
机译: 醌类双咪唑及其衍生物作为掺杂剂掺杂有机半导体基体材料的用途
机译: 醌类双咪唑及其衍生物作为掺杂剂掺杂有机半导体基体材料的用途