InP基模斑转换器、模斑转换结构及制备方法

摘要

一种InP基模斑转换器、模斑转换结构及制备方法，该InP基模斑转换器，包括：两层或多层不同组分的InxGa1‑xAsyP1‑y层，形成垂直锥形结构，其中，x满足0＜x＜1，y满足0＜y＜1，各InxGa1‑xAsyP1‑y层具有沿第一方向渐变的折射率分布，所述第一方向为沿所述模斑转换器的模斑尺寸减小的厚度方向。本发明引入具有渐变折射率分布的模斑转换器，制备高度集成、高转换效率模斑转换器，实现小尺寸高效率的模斑转换，实现紧凑转换波导器件，降低封装成本。