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用于冷场电子发射的阴极结构及其制备方法

摘要

一种用于冷场电子发射的阴极结构及一种制备用于冷场电子发射的阴极结构的方法。所述阴极结构包括一个尖的阴极线以及至少位于所述尖的阴极线的尖端上的石墨烯基涂层。

著录项

  • 公开/公告号CN110709959B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新加坡国立大学;

    申请/专利号CN201880034581.7

  • 发明设计人 安加姆·库尔希德;邵修远;

    申请日2018-05-23

  • 分类号H01J1/304;H01J19/24;H01J9/02;H01J9/48;H01J37/073;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 新加坡新加坡市

  • 入库时间 2022-08-23 13:38:50

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