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公开/公告号CN113969173B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-13
原文格式PDF
申请/专利权人 易安爱富(武汉)科技有限公司;
申请/专利号CN202111115873.3
发明设计人 李泰亨;申阳;高峰;苗发虎;白晓鹏;
申请日2021-09-23
分类号C09K13/06;
代理机构
代理人
地址 430000 湖北省武汉市东湖开发区流芳园横路8号武汉天马微电子有限公司厂房内
入库时间 2022-08-23 13:38:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-13
授权
发明专利权授予
机译: 不含磷酸盐的ITO / Ag ITO / Ag多层蚀刻剂组合物
机译: 可替代高价ITO的AG掺杂透明导电氧化锡的制备方法
机译: 在ITO电极上进行化学镀银的方法
机译:AG和ITO厚度对ITO / AG / ITO多层膜的光学和电性能的影响
机译:ITO / Ag合金/ ITO多层结构可替代显示电极用ITO
机译:ITO,ITO / Ag和ITO / Ni透明导电电极的结构,光电特性
机译:液相法制备多孔ITO薄膜
机译:Characterization of the Solute Transport Properties of the Active Layers of Polyamide Thin Film Composite Membranes =聚酰胺薄膜复合膜活性层溶质输运性质的表征
机译:金属有机框架复合材料分子印迹-高效液相富集和检测红花样品中的胭脂红
机译:由D.C.磁控溅射制备的ITO和ITO / AG / ITO多层薄膜的微观结构和性能