首页> 中国专利> 应用于磁保持继电器静态特性仿真中非导磁层的模拟方法

应用于磁保持继电器静态特性仿真中非导磁层的模拟方法

摘要

本发明公开了一种应用于磁保持继电器静态特性仿真中非导磁层的模拟方法,所述方法如下:S1:建立含永磁体的磁保持继电器CAD模型;S2:测量工作磁通路径中的非导磁镀层;S3:在有限元软件中导入CAD模型,对永磁体、轭铁的尺寸进行修改,去除外表面镀层的厚度;S4:紧贴永磁体表面建立非导磁镀层体Vd,设置该体属性为空气;S5:对CAD模型除非导磁镀层体以外的其它各个部分,按照实际零件材料进行材料属性设置,进行仿真类别及参数设置;S6:选择单元类型,分网建立有限元模型、模型计算,仿真结果提取。相较于传统的仿真方法,本发明的静态特性仿真结果更为准确,与实际产品的特性一致性更高。

著录项

  • 公开/公告号CN112131772B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN202011050763.9

  • 申请日2020-09-29

  • 分类号G06F30/23;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 13:37:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-10

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号