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一种以高长径比晶须制备无晶间玻璃相β-Si3N4多孔陶瓷的方法

摘要

一种以高长径比晶须制备无晶间玻璃相β‑Si3N4多孔陶瓷材料的方法,以α‑Si3N4为原料,Y2O3为助剂,通过常压烧结的方法制备高长径比的β‑Si3N4晶须,以制得的β‑Si3N4模压成型后引入碳源,通过碳热还原方法于β‑Si3N4晶须搭接处生成α‑Si3N4,制备Si3N4搭接β‑Si3N4晶须多孔陶瓷材料;本发明解决了现有多孔氮化硅陶瓷室温和高温力学性能之间的矛盾,能够制得室温强度与同气孔率液相烧结氮化硅近似,但直至1500℃强度不下降的多孔氮化硅陶瓷,极大地改善了多孔氮化硅的高温力学性能,大大拓展了多孔氮化硅陶瓷材料的应用范围。

著录项

  • 公开/公告号CN112898040B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202110154424.3

  • 申请日2021-02-04

  • 分类号C04B38/00;C04B35/593;C04B35/622;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 13:36:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-06

    授权

    发明专利权授予

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