一种纵向BCD器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种纵向BCD器件及其制备方法，主要解决现有LDMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题。本发明纵向BCD器件在CMOS器件区域增加深P阱HVPW，使得HVPW与N型外延层N‑EPI之间形成二极管。当VDMOSFET器件正常工作时，使得N‑EPI与HVPW之间形成的二极管反向截止，不能出现反向击穿。该种设置避免了VDMOSFET的漏极加电压时对BCD中的CMOS器件造成的影响。