一种应用在半导体阀门的金属对金属直接密合结构和处理工艺

摘要

本发明公开了一种应用在半导体阀门的金属对金属直接密合结构，包括金属隔膜片和容纳金属隔膜片的金属容腔，金属容腔沿圆周方向形成高凸缘台；处理工艺：金属隔膜片进行退火处理，将金属缓慢加热到一定温度，然后以适宜速度冷却；金属容腔沿圆周方向形成的高凸缘台，对高凸缘台进行真空淬火处理，真空淬火的真空度1×10‑9 Torr，炉温800‑1000℃，再进行打磨抛光，表面粗糙度Ra＜10 Micro Inch，再测定硬度值HRC60以上。隔膜片与下方的高凸缘台进行密封配合，能压出适当的形状，密封效果好，隔膜片厚度只有0.1mm，这样的厚度会随着凸缘及密封面的情况挤压成型，隔膜片的材质选用不锈钢SUS316L或哈氏合金，挤压过程不会产生碎屑，提高了洁净度，达到奈米级无尘环境使用标准。