叠层互补金属氧化物半导体图像传感器及图像处理方法

摘要

本申请实施例提供了一种叠层互补金属氧化物半导体图像传感器及图像处理方法、存储介质，该叠层互补金属氧化物半导体图像传感器包括：叠层像素单元，叠层像素单元包括多层光电二极管PD柱，多层PD柱包括三种尺寸的PD柱，多层PD柱中的每一层PD柱的尺寸相同，叠层像素单元用于利用多层PD柱依次吸收RGB三色光，并将RGB三色光对应的光信号转换成电信号；与叠层像素单元的输出端连接的CMOS像素读出电路，其中，每一层PD柱与一个CMOS像素读出电路连接，CMOS像素读出电路用于放大电信号，并读出电信号。