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存储器的单粒子效应测试分析方法、装置及测试系统

摘要

本申请提供了一种存储器的单粒子效应测试分析方法、装置及测试系统,其方法通过获取存储器进行单粒子效应测试发生单粒子翻转的错误数据;基于所述错误数据,按照预设的单粒子翻转分类识别规则对存储器发生的单粒子翻转进行分类识别,以获得单粒子翻转的分类类别;根据所述单粒子翻转的分类类别对存储器进行单粒子翻转的数据统计分析,确定存储器发生单粒子翻转的敏感位置。上述方法能够统计存储器在辐照环境下发生单粒子翻转的数量以及结合对每个单粒子翻转进行的分类统计和分析,可以从数据推断存储器发生单粒子翻转的敏感位置。由此,可以实现对存储器器件的敏感位置进行抗辐照加固和评估,针对性强。

著录项

  • 公开/公告号CN111599402B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市国微电子有限公司;

    申请/专利号CN202010293765.4

  • 申请日2020-04-15

  • 分类号G11C29/52(20060101);

  • 代理机构44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘永康

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区高新南一道015号国微研发大厦六层A

  • 入库时间 2022-08-23 13:25:27

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