一种压控型发射极关断晶闸管器件及其制造方法

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，具体的说涉及一种压控型发射极关断晶闸管及其制造方法。本发明通过设计双阴极的MCT器件结构，以及外部连接NMOS和二极管，实现了完全由单个栅极的电压控制的器件的开启和关断。因此，本发明结构避免了发射极关断晶闸管(ETO)由于有三个栅极，导致器件开启与关断时控制复杂，以及ETO导通时需要向GTO门极注入很强的电流触发脉冲，导致其驱动电路复杂和体积庞大的问题。