一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法

摘要

一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其以硅片为原材料，依次通过氧化、注入、键合、裂片、贴膜处理；贴膜要求是：使用贴膜设备贴膜过程中不能对SOI片正背面划伤，设备吸附硅片时，不能掉落；使用蓝膜，所需蓝膜厚度在0‑0.5mm；把膜贴在硅片背面，此时硅片背面存在膜；然后使用浓氢氟酸去掉硅片正面边缘氧化层；再经过浓SC1去掉SOI背面膜，再经过SC1和SC2清洗，测试SOI边缘STIR，此时的STIR小于0.3μm。本发明使用贴蓝膜方式去掉边缘氧化层，SITR较小；其替代了倒角工序，且得到SOI的STIR更好。本发明更适合工业化生产，可批量产出。其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。