一种阻变层自选通阻变存储器及其构建方法与应用

摘要

本发明涉及一种阻变层自选通阻变存储器及其构建方法与应用。所述阻变存储器，包括堆叠层；所述堆叠层包括自外而内依次设置的第四Hf层、第四Si3N4层、第三Hf层、第三Si3N4层、第二Hf层、第二Si3N4层、第一Hf层和第一Si3N4层。本发明基于同质HfOx基的1R阵列选通，将阻变层同时作为选通层，避免引入额外的第三者选通器；基于微纳加工不对称结构进行填充(或镂空)，在微纳米尺度下填充区周围形成耗尽区，且耗尽区随外电场动态变化；利用上述普适性物理原理实现自身选通作用；因此，该阻变存储器不局限于HfOx材料，而是适用于会形成耗尽区的所有材料。