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一种纳米花状CoIn2S4颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜

摘要

本发明提供的一种纳米花状CoIn2S4颗粒/石墨烯复合修饰的隔膜,包括隔膜,和位于隔膜表面的由质量比为5~8:1的纳米花状CoIn2S4颗粒和还原氧化石墨烯复合而成的复合材料。制备方法:将CoCl2·6H2O、InCl3·4H2O和硫代乙酰胺按摩尔比1:2加入DMF和乙二醇的体积比1:1的混合溶剂中,180~200℃下反应18~24h;离心清洗后在400~600℃热处理3~6h,得到纳米花状CoIn2S4颗粒,与还原氧化石墨烯和PVDF按质量比(5~8):1:1的比例加入NMP中,超声后抽滤于隔膜上得到。本发明所得隔膜在抑制穿梭效应的同时加速LiPSs转化动力学,提升锂硫电池的倍率。

著录项

  • 公开/公告号CN113078416B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202110301679.8

  • 申请日2021-03-22

  • 分类号H01M50/431(20210101);H01M50/449(20210101);H01M50/403(20210101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 13:15:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-15

    授权

    发明专利权授予

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