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用于离子注入系统的离子束入射角度检测器

摘要

本发明通过在离子注入过程中通过入射离子束角度检测器监控和修正角度误差而有利于半导体器件的制造。此外,本发明通过在进行离子注入工艺之前相对于入射离子束校准工艺圆盘而不测量晶片上的注入结果而有利于半导体器件的制造。

著录项

  • 公开/公告号CN100492584C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 艾克塞利斯技术公司;

    申请/专利号CN200480009348.1

  • 申请日2004-03-31

  • 分类号H01J37/317(20060101);H01J27/24(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人廖凌玲

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-05-27

    授权

    授权

  • 2006-07-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-10

    公开

    公开

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