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低浓度二氧化氯高效诱导菊花一步成苗的方法

摘要

本发明公开了低浓度二氧化氯高效诱导菊花一步成苗的方法,在菊花培养基中添加低浓度二氧化氯,诱导菊花茎叶与根系同时生长,不需分阶段培养即可完成菊花组织培养;所述的二氧化氯浓度1~20μg/L,所述的培养基含有或不含有外源激素,培养20天即可获得生长健壮且根系发达的菊花植株,移栽成活率达到100%。本发明通过低浓度二氧化氯促进植株生长和生根,在高效诱导菊花高效再生的同时,摆脱了当前组培中对外源激素的依赖,无环境安全性风险,降低生产成本,实现菊花快繁的一步成苗,适用于规模化菊花组培苗的生产,提高产业价值。

著录项

  • 公开/公告号CN112586358B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 淮北师范大学;

    申请/专利号CN202110105712.X

  • 申请日2021-01-26

  • 分类号A01H4/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 235000 安徽省淮北市相山区东山路100号

  • 入库时间 2022-08-23 13:08:42

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