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一种低成本去除冶金硅中杂质硼的方法

摘要

本发明公开了一种低成本的去除冶金硅中杂质硼的方法,采用高温热氧化法首先在冶金硅表面生长二氧化硅薄层,其次通过热处理方式,调控杂质硼在二氧化硅/硅界面处的分凝,以及调控杂质硼过饱和析出、富集并偏析至硅晶界处,使得冶金硅内部的杂质硼扩散到二氧化硅/硅界面附近,然后去除二氧化硅,最后采用化学湿法酸处理,达到去除杂质的目的。本发明提出的新方法的总杂质去除率大于96%,杂质硼去除率大于93%,具有总杂质和硼杂质去除效率高、工艺流程短、生产成本低、污染小等特点,很容易在产业化上进行推广应用。

著录项

  • 公开/公告号CN110342525B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江师范大学;

    申请/专利号CN201910614564.7

  • 申请日2019-07-09

  • 分类号C01B33/037(20060101);

  • 代理机构33216 杭州之江专利事务所(普通合伙);

  • 代理人朱枫

  • 地址 321004 浙江省金华市迎宾大道688号

  • 入库时间 2022-08-23 13:08:08

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